第三代半导体技术与材料论坛将于2023年9月21-22日在厦门召开,详见后文
近日,北极雄芯宣布完成新一轮过亿元融资,投资方包括丰年资本、正为资本等。本轮融资资金将主要用于下一代通用型芯粒及功能型芯粒的开发,同时北极雄芯将进一步投入高速互联芯粒接口等Chiplet基础技术的研发。
北极雄芯源于清华大学交叉信息研究院,由图灵奖得主、姚期智院士任院长的交叉信息核心技术研究院孵化,创始人马恺声为清华大学交叉信息研究院助理教授。北极雄芯是一家Chiplet芯片设计企业。该公司核心研发团队拥有中兴、华为、紫光、Intel、Cadence、Marvell等企业背景,拥有不同工艺多款芯片成功流片经验。
(相关资料图)
北极雄芯深耕Chiplet领域多年,采用异构集成的设计理念,从芯片架构底层将各场景需求中的通用模块与专用模块解耦,分别设计制造小芯粒并集成,可支持不同制程模块的互联,并且针对全国产封装供应链进行了优化。
目前,该公司已经构筑了完整的算法、编译、软件工具链体系,自研NPU在主流AI模型应用上的平均算力利用率超70%,未来可广泛应用于AI加速、智能驾驶等云边端高性能计算领域。
北极雄芯消息显示,今年2月,北极雄芯发布了国内首款基于异构Chiplet集成的智能处理芯片“启明930”,成为首个基于Chiplet异构集成并完成流片及国产封装全链路成功验证的高性能计算SoC,目前已与多家AI下游场景合作伙伴进行测试。
来源:集微网
以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体是战略性新兴产业的核心材料,在《“十四五”规划和2035年远景目标纲要》中被列为重点;碳中和与新能源体系变革的背景下,在风电、光伏、新能源汽车、储能等行业应用前景广阔。
据行业机构预测,到2026年,碳化硅产品市场将达35亿美元,氮化镓功率产品市场需求增长到21亿美元。近年来,国内企业如三安、英诺赛科、士兰明镓等不断布局氮化镓项目,全产业链项目约26个,国外龙头如英飞凌等也正积极布局。
在碳化硅功率器件市场,受益于特斯拉的应用需求,意法半导体领先全球市场;Wolfspeed、安森美和罗姆等厂商跟随。衬底、外延、芯片三个环节技术含量密集,是投资和创新重点。碳化硅6英寸衬底技术已经稳定导入产业,8英寸衬底正在探索商业化量产,其中尤以衬底大厂Wolfspeed推进最为迅速,国内企业在提供样品或小规模供货阶段。
第三代半导体技术与材料论坛将于2023年9月21-22日在厦门召开。重点关注碳化硅、氮化镓产业链前景,最新衬底、外延、器件技术与项目投资,碳化硅、氮化镓长晶技术,净化工程与EPC,新兴化合物半导体前沿技术与应用。参观第三代半导体重点企业与项目。
会议主题包括但不限于
国际形势对中国第三代半导体发展的影响
第三代半导体市场及产业发展机遇
6寸与8寸SiC项目投资与市场需求
SiC长晶工艺技术与设备
净化工程与EPC工程项目实践
8英寸SiC国产化进程和技术突破
SiC市场以及技术发展难题&解决方案
SiC与GaN外延片技术进展
大尺寸GaN长晶难点及技术展望
GaN材料技术进展
SiC与GaN器件与下游应用
功率器件封装技术与材料
新兴化合物半导体进展:氧化镓、氮化铝、金刚石、氧化锌
工业参观与考察(重点企业或园区)
最新日程如下
会议日程 |
宽禁带器件应用中的机遇与挑战(题目暂定) ——厦门三安光电有限公司(已定) |
中国第三代半导体产业布局情况(题目暂定) ——中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟(已定) |
SiC单晶生长技术浅析及应用展望(题目暂定) ——山西烁科晶体有限公司(已定) |
国产碳化硅功率器件机遇和挑战(题目暂定) ——安徽芯塔电子科技有限公司(已定) |
国产SiC MOSFET发展要点浅析 ——泰科天润半导体科技(北京)有限公司(已定) |
用于汽车半导体的碳化硅MOSFET解决方案(题目暂定) ——深圳基本半导体有限公司(已定) |
大尺寸碳化硅单晶工艺控制 ——山东天岳先进材料科技有限公司(待定) |
碳化硅晶体的生长技术,PVT法及液相法 ——中国电子科技集团公司第二研究所(待定) |
大尺寸碳化硅晶圆制造技术难点 ——上海积塔半导体有限公司(待定) |
Si基GaN器件及系统研究与产业前景 ——南方科技大学(待定) |
氮化镓同质外延功率/射频器件应用与相关单晶衬底制备技术的研发进展 ——东莞中镓半导体科技有限公司(待定) |
中国第三代半导体供应链现状 ——厦门士兰明镓化合物半导体有限公司(待定) |
GaN在车用功率半导体的应用 ——苏州晶方半导体科技股份有限公司(待定) |
*以上演讲报告列表将随着会议邀请工作进展不断更新,最终版以会场发布为准。
若您有意向参与演讲、赞助或参会,欢迎联系我们!(见文末)
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