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近期，由于NAND闪存客户需求低迷，三星电子计划暂停其位于韩国平泽市P1工厂的部分NAND闪存生产设备，并全面停止低于1.6美元（约12元人民币）的存储芯片第六代V-NAND成熟型制程的出货。在市场需求未明显好转的情况下，三星电子和SK海力士面临不小的压力，库存依旧处在高位，下半年考虑将继续减产。 与DRAM相比，NAND闪存需求复苏缓慢。尽管随着AI需求的增加，DRAM的利润状况有所改善，但需求并不高，当前依然处于“供过于求”的状态。为了避免NAND闪存不理想的市场状况对正在复苏的DRAM市场带来负面影响，三星电子和SK海力士计划在下半年通过减少NAND闪存的产量来管理库存。 据悉，三星电子负责存储业务的设备解决方案部门的库存，在上半年结束时已增至33.69万亿韩元（约1836.1亿元人民币），高于去年年底时的29.06万亿韩元。SK海力士在上半年结束时的库存为16.42万亿韩元（约894.89亿元人民币），较去年年底也增加了5%。 在二季度的财报分析师电话会议上，三星电子表示在下半年将继续削减以NAND闪存为中心的存储半导体的产量，而SK海力士也宣布他们计划在下半年将NAND闪存的产量削减5%-10%。