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场效应MOS管TK15A50D参数 场效应MOS管TK15A50D参数 产品简介

PD最大耗散功率:50WID最大漏源电流:15AV(BR)DSS漏源击穿电压:500VRDS(ON)Ω内阻:0.3ΩVRDS(ON)ld通态电流:7.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:100μA

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