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SK 海力士 周一表示 ，已完成首款 HBM3E 内存模块的开发，目前正在向客户提供样品。新内存堆栈的数据传输速率为 9 GT/s，比该公司的 HBM3 堆栈高出 40%。

SK 海力士计划在明年上半年量产其新型 HBM3E 内存堆栈。然而，该公司从未透露这些模块的容量(以及它们是否使用 12-Hi 或 8-Hi 架构)或 具体何时 推出。市场情报公司 TrendForce 最近表示，SK 海力士有望在 2024 年第一季度生产 24 GB HBM3E 产品，并在 2025 年第一季度推出 36 GB HBM3E 产品。

如果TrendForce的信息准确，SK海力士的新HBM3E模块将在市场需要时及时上市。例如，Nvidia 计划于 2024 年第二季度开始出货 配备 141 GB HBM3E 内存的 Grace Hopper GH200 平台， 用于人工智能和高性能计算应用。但这并不意味着 Nvidia 产品将使用 SK Hynix 的 HBM3E ，HBM3E将于2024年上半年量产，巩固了SK海力士作为HBM内存领先供应商的地位。

然而，它无法夺得性能桂冠。SK Hynix 的新模块提供 9 GT/s 的数据传输速率，比美光的 9.2 GT/s 稍慢。虽然美光的 HBM3 Gen2 模块承诺每个堆栈的带宽高达 1.2 TB/s，但 SK Hynix 的峰值带宽为 1.15 TB/s。

尽管 SK 海力士没有透露其 HBM3E 堆栈的容量，但表示他们采用了其先进的大规模回流模制底部填充 (MR-RUF) 技术。这种方法缩小了 HBM 堆栈内存储器件之间的空间，从而将散热速度加快了 10%，并允许将 12-Hi HBM 配置填充到与 8-Hi HBM 模块相同的 z 高度中。