(报告出品方/作者:申万宏源研究,杨海晏、袁航、李天奇)

1. 碳化硅具有耐高温、高压等优势,渗透率提升空 间大

近年来,第三代半导体发展迅速。由于第一代及第二代半导体材料自身的物理性能局 限,越来越无法满足新型领域如新能源汽车、智能电网、5G 通信等。根据 Yole(悠乐咨 询《全球碳化硅市场 2022 年度报告》)数据,2022 年全球第三代半导体材料碳化硅(SiC) 渗透率为 3%。 1) 第一代半导体材料以硅(Si)、锗(Ge)为代表,广泛应用于低压、低频、低功率 的晶体管和探测器中,90%以上的半导体产品是用硅基材料制作的; 2) 第二代半导体材料以砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)为代表,相对硅基器件具有 高频、高速的光电性能,广泛应用于光电子和微电子领域; 3) 第三代半导体材料以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、氮化铝 (AlN)、金刚石(C)为代表。因具有大禁带宽度、高电导率、高热导率、高抗辐射能力 等优点,更适合在高压、高频、高功率、高温以及高可靠性领域中应用,例如射频通信、 雷达、电源管理、汽车电子、电力电子等。

与第一代半导体材料 Si 相比,碳化硅具备更高的击穿电场强度、饱和电子漂移速率、 热导性和热稳定性。根据艾瑞咨询数据: 1)宽禁带:高稳定性+高击穿电场强度。碳化硅的禁带宽度是硅的 3 倍,使得其具有 更好的稳定性,宽禁带同时也有助于提高击穿电场强度,使其具有更好的耐热性和耐高压 性、高频性。2)热导率:散热性能好。SiC 热导率是 Si 的 2-3 倍,热阻更低,更耐高温(工作结温 更高可达 200℃以上,极限工作结可达 600℃,而 Si 的工作极限温度为 150℃),产生的 热量更容易传输到散热器和环境中。 3)高饱和电子漂移速率:能量损耗更低。碳化硅的饱和电子漂移速率为硅的 2-3 倍, 导通电阻更低,能够大幅度降低导通损耗,同时有更高的切换频率。在 1kV 电压等级下, SiC 基单极性器件的导通电阻是 Si 基器件的 1/60。


(相关资料图)


碳化硅器件更高效节能、更能实现系统小型化。根据罗姆官网数据,相同规格下 SiC 器 件体积约为硅基器件的 1/10。

2.纵观产业链,衬底与外延占据 70%的成本

碳化硅产业链主要分为衬底、外延、器件和应用四大环节,衬底与外延占据 70%的碳 化硅器件成本。根据中商产业研究院数据,碳化硅器件的成本构成中,衬底、外延、前段、 研发费用和其他分别占比为 47%,23%,19%,6%,5%,衬底+外延合计约 70%,是碳 化硅产业链制造的重要组成部分。 衬底和外延层的缺陷水平的降低、掺杂的精准控制及掺杂的均匀性对碳化硅器件的应 用至关重要。受制于材料端的制备难度大,良率低,产能小,目前碳化硅衬底及外延层的 价值量高于硅材料。 碳化硅衬底分为导电型和半绝缘型衬底。在导电型碳化硅衬底上生长碳化硅外延层, 可制成二极管、MOSFET 等功率器件,主要应用于新能源汽车、光伏发电等领域;在半绝 缘型碳化硅衬底上生长氮化镓外延层,可制成 HEMT 等微波射频器件,主要应用于 5G 通 讯、卫星等领域。

2.1 衬底:晶体生长是核心难点,PVT 为主流方法

碳化硅衬底经多个工序,PVT 为碳化硅晶体生长的主流方法。碳化硅衬底制备目前主 要以高纯碳粉、硅粉为原料合成碳化硅粉,采用物理气相传输法(PVT 法),在单晶炉中 生长成为晶体,随后经过切片、研磨、抛光、清洗等步骤制成单晶薄片作为衬底。

晶体生长是核心难点,国内衬底良率偏低。1)SiC 晶棒生长速度慢。长度约 2cm 的 SiC 晶棒大约需要 7-10 天的生长时间(天科合达招股说明书数据),生长速度仅为 Si 晶棒 的几十分之一;2)晶体生长对各种参数要求高,工艺复杂。在晶体生长过程中需要精确控 制硅碳比、生长温度梯度等参数,并且生长过程不可见。 我们认为长晶难点在于工艺而非设备本身,目前部分碳化硅衬底厂商选择自研长 晶设备,也有部分厂商选择外购模式。 根据公司年报及招股说明书,天科合达成立沈阳分公司生产拥有自主知识产权的碳化 硅单晶生长炉,2019 年对外销售 23 台。天岳先进的碳化硅单晶生长炉主要找北方华创采 购,但热场设计、控制软件以及组装调试工作均由公司自行完成,并且拥有“碳化硅单晶 大直径、高厚度、低缺陷制备技术”专利。


根据晶升股份招股说明书,预计北方华创占国内碳化硅厂商采购份额 50%以上,晶升 股份市占率约为 27.47%-29.01%,二者占国内长晶炉超 77%。

2.2 外延:处产业链中间环节,设备交付周期长

外延是指在碳化硅衬底上,经过外延工艺生长出特定单晶薄膜。1)随着器件耐压性能 的提高,对应的外延层厚度增加,对厚度和电阻率均匀性以及缺陷密度的控制就变得困难。 根据今日半导体数据,一般电压 600V 左右时,所需外延层厚度约在 6 微米;电压在 1200-1700V 时,所需外延层厚度达 10-15 微米;若电压达到一万伏以上时,可能需要 100 微米以上的外延层厚度。2)CVD(化学气相沉积)是外延生长中最常用的方法。国内碳化 硅外延技术在高压应用领域受限制,厚度和参杂浓度均匀性是关键的参数。 外延层对器件性能影响大,处产业链中间环节。外延缺陷会对器件击穿电压造成影响, 使得器件良率提升难度大;同时,外延层的质量又受到晶体和衬底加工质量的影响,处产 业链中间环节。

碳化硅外延市场由 Wolfspeed 和昭和电工(Showa Denko)双寡头垄断。根据 Yole 数据,2020 年全球碳化硅外延市场中,Wolfspeed 占 52%,昭和电工占 43%,CR2 共占 95%。


国内各厂商加快生产线建设。天域半导体建设碳化硅外延材料研发及产业化项目,预 计 2025 年竣工并投产,实现营收 8.7 亿元,2028 年全面达产产能 100 万片/年;瀚天天 成二期 22 年 3 月竣工验收,23 年达产产能为 20 万/年;三期于 22 年启动建设,预计达 产产能 140 万片/年。

外延设备是核心,国外厂商垄断。外延设备被行业四大龙头企业德国的 Aixtron、意大 利的 LPE、日本的 TEL 和 Nuflare 所垄断,主流 SiC 高温外延设备交付周期已拉长至 1.5-2 年左右(TEL 因价格和技术 IP 问题,较少出现在国内市场;Nuflare 设备多数交付给 Wolfspeed 和 II-VI)。 德国 Aixtron:多片机产能较大,缺点是控制难度较高;意大利 LPE:单片机,生长 速率最高,缺点是需要经常降温清理腔体。日本 TEL:双腔体,对提高产量有一定的作用; 日本 Nuflare:垂直机台,高速旋转可达到一分钟 1000 转,保证均匀性控制较好的同时 可以避免一些颗粒物的产生,缺陷较低。 根据公司年报及官网,北方华创 SiC 外延炉已实现量产,截至 2022 年 9 月累计订单 数超 100 台;中微公司目前已启动外延生产设备的开发,预计 2023 年将交付样机至客户 端开展生产验证。

3. 竞争格局集中,国内衬底厂商奋起直追

衬底市场竞争格局集中,海内外厂商发展模式差异大。国外企业多以 IDM 模式布局全 产业链,如 Wolfspeed、罗姆及意法半导体等,而国内企业倾向专注于单个环节制造,如 衬底领域的天科合达、天岳先进,外延领域的瀚天天成、东莞天域半导体。

3.1 碳化硅衬底市场规模快速增长,导电型 CR3 约 89%

碳化硅衬底的市场规模有望快速增长。根据中商产业研究院数据,2022 年全球导电型 碳化硅衬底和半绝缘型碳化硅衬底市场规模分别为 5.12 和 2.42 亿美元,预计到 2023 年市 场规模将分别达到6.84 和2.81 亿美元。2022-2025年,导电型碳化硅衬底CAGR 达34%。 根据中商产业研究院数据,海外厂商垄断碳化硅衬底市场。2020 年碳化硅衬底中海外 厂商市占率达 86%,其中 Wolfspeed 市占率达 45%,Rohm(收购 SiCrystal)排名第二, 占 20%的市场份额。国内企业天科合达、天岳先进分别占据了 5%、3%。


分导电型和半绝缘型市场看:1)2020 年全球导电型碳化硅衬底市场中,Wolfspeed 市占率达 62%,CR3 约 89%,国内份额最大的天科合达仅占 4%;2)2020 年全球半绝缘 型碳化硅衬底市场中,Wolfspeed、II-VI 分别占 33%、35%的市场份额,CR2 约 68%, 国内天岳先进占 30%。

国外垄断厂商运用先发优势继续扩产。Wolfspeed 位于纽约的莫霍克谷工厂现已投产 (8 英寸),预计 2023-2024 年产能达 72 万片/年(相当于 150 万片 6 英寸)。此外, Wolfspeed 一期建设投资 13 亿美元在北卡罗来纳州查塔姆县建造的 8 英寸碳化硅生产工 厂,预计2024 年完工后带来超10 倍产能扩充;II-VI 建设美国宾夕法尼亚州伊斯顿的工厂, 预计 2027 年产能达 100 万片/年 6 英寸;日本罗姆预计 2025 年衬底产能扩展至 30-40 万 /年。

3.2 国内衬底厂商加速布局

国内厂商奋起直追。预计天科合达 2025 年底,6 英寸有效产能达 55 万片/年;预计天 岳先进的上海临港工厂,2026 年达产产能为 30 万片/年。 我们认为国产衬底厂商进展超预期。2023 年 4 月,天岳先进 2022 年年报披露与博世 集团签署长期协议;5 月,英飞凌宣布与天科合达和天岳先进 2 家 SiC 衬底厂商签订长期 协议,并预计 2 家供应量均将占到英飞凌长期需求量的两位数份额。这是国产 SiC 的里程 碑事件,体现国产 SiC 衬底龙头获国际器件大厂认可,衬底良率和性能提升超预期。 23 年 6 月,意法半导体宣布将与三安光电在中国成立 200mm 碳化硅器件制造合资企 业公司,三安光电将建造并单独运营一座新的 200 毫米碳化硅衬底制造厂,使用自己的碳 化硅衬底工艺来满足合资企业的需求。

4.重点公司分析

4.1 天岳先进:半绝缘型碳化硅衬底龙头,产能逐步向导电型 切换

天岳先进是半绝缘型碳化硅衬底龙头,全球市占率保持前三。公司主营业务是半绝缘 型和导电型碳化硅衬底以及晶棒、不合格衬底等其他业务。截至 2020 年,公司半绝缘型衬 底占销售收入的 82%(招股说明书数据)。 净利润波动较大。2020-2022 年,公司净利润分别是-6.42、0.90 和-1.75 亿元,2021 年净利润为正,主要系行业景气度较高、公司经营规模扩大、盈利能力增强。2022 年净利 润为负,主要系产线、设备调整等导致临时性产能下滑,以及公司为新建产能投产所招聘 的人员数量较大,导致薪酬支出大幅上升,对净利润影响较大。 根据年报,公司济南工厂导电型产品产能产量正快速爬坡。截至 2022 年末,济南工 厂导电型产品的产量已超过半绝缘型。


研发费用率持续提升。2022 年公司研发投入占营业收入占比提升 15.66pct,主要系 公司大尺寸及 N 型产品研发投入、前沿技术研发投入等加大,导致研发费用上升。 净利率、毛利率有所收窄。净利率方面,2021 年,公司净利率由负转正,从-151%上 升至 18%,主要系 2021 年公司经营规模扩大、盈利能力增强。毛利率方面,2019-2021 年近三年内毛利率基本稳定;2022 年毛利率为-6%,主要系由疫情及国际形势变化影响公 司新建产能进度。

4.2 天科合达:2020 年导电型衬底全球市占率达 4%

公司主营业务为碳化硅晶片、其他碳化硅产品(籽晶、晶体)和碳化硅单晶生长炉, 其中,碳化硅晶片是公司的核心产品。公司专注碳化硅晶体生长和晶片加工技术,掌握“设 备研制—原料合成—晶体生长—晶体切割—晶片加工—清洗检测”碳化硅晶片生产全流 程关键技术和工艺。 公司营业收入快速增长,净利润由负转正。2017-2019 年,公司营业收入 CAGR 达 153.92%。净利润方面,公司自 2018 年开始转正,净利润达 194.4 万元,主要系产品良 率大幅提高、新增设备产能释放、市场需求增长迅猛。

公司研发费用率总体稳定,毛利率、净利率提升。公司毛利自 2018 年以来转正,主要 系技术工艺的提升和规模效应带动生产成本下降;净利率方面,2018-2019 年,公司净利 率分别为 2.49%、19.36%,盈利能力持续提升。


4.3 东尼电子:1Q23 碳化硅业务收入达 2563 万元

东尼电子子公司东尼半导体于 2023 年 1 月与下游客户 T 签订《采购合同》,约定东 尼半导体 2023 年向该客户交付 6 英寸碳化硅衬底 13.5 万片,含税销售金额合计人民币 6.75 亿元。根据公告,公司 5 月份开始交付。 根据公司公告,1Q23 碳化硅业务收入达 2563万元,毛利率 2.87%,净利率为-43.61%。

4.4 三安光电:具备 SiC 全产业链一体化布局

公司 6 月 7 日公告,湖南三安与意法半导体将共同设立一家专门从事碳化硅外延、芯 片生产的合资代工公司-三安意法半导体重庆有限公司,合资公司预计投入总金额为 32 亿 美元。 本次合作体现了公司碳化硅业务在国际市场的实力。 根据公告,新的 SiC 制造厂计划 于 2025 年完成阶段性建设并逐步投产,2028 年达产,规划达产后生产 8 寸碳化硅晶圆 4 万片/月。同时,三安光电将利用自有 SiC 衬底工艺,单独建造和运营一个新的 8 英寸 SiC 衬底制造厂,以满足该合资厂的衬底需求。该合资厂将采用 ST 的 SiC 专利制造工艺技术, 专注于为 ST 生产 SiC 器件,湖南三安持股比例为 51%,意法半导体持股比例为 49%。 根据年报,公司 2022 年底湖南三安碳化硅产能 1.2 万片/月,目前产能爬坡至 1.5 万 片/月。湖南三安二期工程将于 2023 年贯通,达产后配套年产能将达到 3 万片/月,销售 收入正随着产能释放实现。

(本文仅供参考,不代表我们的任何投资建议。如需使用相关信息,请参阅报告原文。)

精选报告来源:【未来智库】。「链接」

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